Què és un làser semiconductor de contacte ampli

Què és un/alàser de semiconductor de contacte ampli
Els làsers s'utilitzen en gairebé tots els sistemes de detecció de fibra òptica distribuïts (DOFS) perquè poden injectar de manera eficientlàsers d'alta potènciaen fibres. Tanmateix, hi ha diversos tipus de làsers, i aquí s'introdueixen els principals tipus en ordre d'augment de la longitud de coherència, és a dir, decreixent l'amplada espectral. En general, un làser està compost d'un medi de guany que amplifica la llum que es propaga a través d'ell i proporciona retroalimentació per enviar la llum amplificada de tornada al medi de guany per al cicle de guany. Per tant, a partir de l'emissió espontània dins del medi de guany, es generaran ones de llum més fortes i coherents, les característiques de les quals depenen tant del medi de guany com de les propietats de retroalimentació. Normalment, la retroalimentació proporciona una estructura ressonant que forma un o més modes, cadascun emetent dins d'un rang espectral estret.
El contacte amplilàser semiconductor, el làser semiconductor més simple i primerenc, consisteix en una regió de guany semiconductor formada per una unió pn d'un material de banda prohibida directa (com ara GaAs), amb retroalimentació proporcionada per la reflexió de les facetes netejades del xip làser; La longitud dels xips làser sol ser de diversos centenars de micròmetres. Aquesta estructura de connexió està dissenyada per restringir simultàniament els portadors de càrrega i la llum que es propaga dins de la regió de guany. Com a díodes, aquests dispositius tenen contactes elèctrics a banda i banda. En un dispositiu de contacte ample, l'amplada de l'elèctrode superior és de diverses desenes de micròmetres (normalment al voltant de 75 μm); Per tant, l'emissió de llum forma una línia al llarg d'aquesta amplada, que és monomodal en el pla perpendicular a la unió i presenta una distribució complexa del camp de llum multimodal en el pla paral·lel a la unió. A causa d'aquest mode d'emissió, els làsers de contacte ample només es poden acoblar eficientment a fibres multimodals. Tanmateix, la potència del làser de contacte ample és relativament alta i, en condicions de funcionament pulsades, el dispositiu d'elèctrode de 75 μm normalment pot generar una potència màxima superior a 10 W.
Làser de contacte ampliEls díodes són adequats per a certs tipus de sistemes de detecció de temperatura distribuïts multimode Raman, ja que aquests sistemes no requereixen una alta puresa espectral. També són aplicables a sensors basats en pèrdues, com ara aquells sistemes que utilitzen microflexió controlada com a mecanisme de detecció.