Modulador de fase electroòptica d'alta velocitat de 2 µm Rof 2000 nm

Imatge destacada del modulador de fase electroòptica d'alta velocitat Rof 2000nm de 2um

Descripció breu:

El modulador de fase electroòptic de niobat de liti (LiNbO3) de 2000 nm de la sèrie ROF-PM-2000 utilitza tecnologia d'intercanvi de protons per a la fabricació de guies d'ones òptiques, amb acoblament directe entre les fibres d'entrada/sortida i les guies d'ones. Presenta una baixa pèrdua d'inserció, una amplada de banda de resposta plana i un voltatge de mitja ona baix, i s'utilitza principalment en làsers de fibra, comunicació làser, làsers d'alta energia i altres camps.

Envia'ns un correu electrònic DESCARREGAR

Detall del producte

Rofea Optoelectronics ofereix productes de moduladors electroòptics òptics i fotònics.

Etiquetes de producte

Característica

Baixa pèrdua d'inserció

Voltatge de mitja ona baixa

Alta taxa d'extinció de polarització

Entrada blindada SMA

Modulador electroòptic, modulador de fase, modulador de fase LiNbO3, modulador de fase LiNbO3, modulador de fase de baix Vpi

Aplicació

Làser de fibra de 2um

Estabilització de freqüència làser PDH

Combinació coherent làser

Comunicació làser

Paràmetre

Paràmetre		Símbol	Mín.	Tipus	Màxim	Unitat
Oparàmetres òptics
Longitud d'ona de funcionament		l	1950	2000	2050	nm
Pèrdua d'inserció		IL		3.5	4.5	dB
Pèrdua de retorn òptic		ORL			-45	dB
fibra òptica	terminal d'entrada		Panda PM
	final de sortida		Panda PM
Interfície de fibra òptica			FC/PC、FC/APC或用户指定
Paràmetres elèctrics
freqüència de funcionament		S₂₁	DC~200			MHz
Vpi a 50 kHz		Vπ		4.5	5.0	V
Impedància d'adaptació		Z_RF	>1M			W
interfície elèctrica			SMA(f)

Condicions límit

Paràmetre	Símbol	Unitat	Mín.	Tipus	Màxim
Potència òptica d'entrada a 2000 nm	P_{en, Màx.}	dBm			20
Tensió d'entrada del terminal RF		V	-20		20
Temperatura de funcionament	Superior	ºC	0		70
Temperatura d'emmagatzematge	Tst	ºC	-40		85
Humitat	RH	%	5		90

Corba característica

Corba S11 i S21

Diagrama mecànic (mm)

Informació de la comanda

ROF

Tipus de modulador:

PM - Modulador de fase

Longitud d'ona de funcionament：

2000---2000 nm

Amplada de banda operativa：

200M---200MHz

Fibres òptiques d'entrada i sortida：

PP---PM/PMF

Connector:

FA---FC/APC

FP---FC/PC

SP - Especificat per l'usuari

* Poseu-vos en contacte amb el nostre departament de vendes si teniu requisits especials.

Sobre nosaltres

Rofea Optoelectronics ofereix una gamma de productes comercials que inclouen moduladors electroòptics, moduladors de fase, fotodetectors, fonts làser, làsers DFB, amplificadors òptics, EDFA, làsers SLD, modulació QPSK, làsers pulsats, fotodetectors, fotodetectors balancejats, làsers semiconductors, controladors làser, acobladors de fibra, làsers pulsats, amplificadors de fibra, mesuradors de potència òptica, làsers de banda ampla, làsers sintonitzables, línies de retard òptic, moduladors electroòptics, detectors òptics, controladors de díode làser, amplificadors de fibra, amplificadors de fibra dopats amb erbi i fonts de llum làser.

Anterior: Font làser semiconductor ROF Fonts de llum de banda ampla de baixa polarització SLD Làser SLD

Següent:

Rofea Optoelectronics ofereix una línia de productes de moduladors electroòptics comercials, moduladors de fase, moduladors d'intensitat, fotodetectors, fonts de llum làser, làsers DFB, amplificadors òptics, EDFA, làser SLD, modulació QPSK, làser de pols, detector de llum, fotodetector equilibrat, controlador làser, amplificador de fibra òptica, mesurador de potència òptica, làser de banda ampla, làser sintonitzable, detector òptic, controlador de díode làser, amplificador de fibra. També oferim molts moduladors particulars per a la personalització, com ara moduladors de fase de matriu 1*4, Vpi ultrabaix i moduladors de relació d'extinció ultraalta, utilitzats principalment en universitats i instituts.
Esperem que els nostres productes us siguin útils a vosaltres i a la vostra recerca.