Làser modulador Rof EA Font làser de pols Mòdul làser DFB Làser EA Font de llum
Característica
Baixa tensió d'accionament: <2,5 V
Ample de banda alt:> 10G,> 40G (opcional)
Alta relació d'extinció: 10 dB
Paquet de mòduls d'escriptori
Aplicació
Sistema de comunicació de fibra òptica de velocitat de 10 Gbpshihg
Sistema de fibra òptica d'alta velocitat de 40 Gbps
Fotònica de microones
Paràmetres
| Paràmetre | Símbol | Min | Tip | Màx | Unitat | |
| Longitud d'ona central | λC | 1530 | - | 1564 | nm | |
| Potència de llum mitjana de sortida | Pavg | -4 | 0 | dBm | ||
| 3dBamplada espectral | Dl | 2 | 10 | MHz | ||
| Estabilitat de les ones | 0,01 | nm | ||||
| SMSR | SMSR | 30 | 45 | - | dB | |
| Estabilitat de potència** | PSS | ±0,005 | dB/5min | |||
| PLS | ±0,01 | dB/8h | ||||
| Tensió d'accionament de modulació | Vpp | 2.0 | 2.5 | V | ||
| 3dBample de banda | EAS-10 | BW | 10 | 12 | - | GHz |
| EAS-40 | 32 | 35 | GHz | |||
| Ratio d'extinció dinàmica | ER | 9 | 10 | dB | ||
| Especificació | Escriptori | Mòdul | ||||
| Dimensions | LxWxH | 320×220×90 mm | 90×70×18 mm | |||
| Requisit de potència | AC 220V ± 10 ％ 30W | CC +5V GND | ||||
| Interfície de senyal d'entrada | SMA(f)/V(f) | |||||
| Sortida de fibra òptica | Fibra monomode smf-28 | |||||
| Interfície òptica de sortida | FC/PC FC/APCo especificat per l'usuari | |||||
Espectre típic
Sobre nosaltres
Rofea Optoelectronics ofereix una àmplia gamma de moduladors electroòptics comercials, moduladors de fase, fotodetectors, fonts de llum làser, làsers DFB, amplificadors òptics, EDFA, làsers SLD, modulació QPSK, làsers de pols, detectors de llum, fotodetectors equilibrats, làsers semiconductors, controladors làser. , acobladors de fibra, làsers polsats, amplificadors de fibra òptica, mesuradors de potència òptica, làsers de banda ampla, làsers ajustables, moduladors electroòptics de retard òptic, detectors òptics, controladors de díodes làser, amplificadors de fibra, amplificadors de fibra dopada amb erbi i fonts de llum làser.A més, oferim molts moduladors personalitzables, com ara moduladors de fase de matriu 1 * 4, Vpi ultra baix i moduladors de ràtio d'extinció ultra alt, que s'utilitzen principalment a les universitats i instituts.Els nostres productes ofereixen un rang de longitud d'ona de 780 nm a 2000 nm amb amplades de banda electroòptiques de fins a 40 GHz, amb baixa pèrdua d'inserció, baix Vp i alt PER.Són ideals per a diverses aplicacions, que van des d'enllaços analògics de RF fins a comunicacions d'alta velocitat.
Grans avantatges en la indústria, com ara personalització, varietat, especificacions, alta eficiència, servei excel·lent.I el 2016 va guanyar la certificació d'empresa d'alta tecnologia de Beijing, té molts certificats de patent, força forta, productes venuts als mercats nacionals i estrangers, amb el seu rendiment estable i superior per guanyar els elogis dels usuaris a casa i a l'estranger!
El segle XXI és l'era del desenvolupament vigorós de la tecnologia fotoelèctrica, ROF està disposat a fer tot el possible per oferir-vos serveis i crear brillants amb vosaltres.Esperem cooperar amb vosaltres!
Rofea Optoelectronics ofereix una línia de productes comercials de moduladors electroòptics, moduladors de fase, moduladors d'intensitat, fotodetectors, fonts de llum làser, làsers DFB, amplificadors òptics, EDFA, làser SLD, modulació QPSK, làser de pols, detector de llum, fotodetector equilibrat, controlador làser , Amplificador de fibra òptica, mesurador de potència òptica, làser de banda ampla, làser ajustable, detector òptic, controlador de díode làser, amplificador de fibra.També oferim molts moduladors particulars per a la personalització, com ara moduladors de fase de matriu 1 * 4, Vpi ultra baix i moduladors de relació d'extinció ultra alta, utilitzats principalment a universitats i instituts.
Esperem que els nostres productes siguin útils per a vostè i la seva recerca.
