Modulador d'intensitat Rof EOM 1550nm Modulador de niòbat de liti de pel·lícula fina de 2,5 G
Característica
* Baixa pèrdua d'inserció
* Ample de banda alt
* Baixa tensió de mitja ona
* Opció de personalització
Aplicació
⚫ Sistemes ROF
⚫ Distribució de claus quàntiques
⚫ Sistemes de detecció làser
⚫ Modulació de banda lateral
Longitud d'ona
⚫750nm
⚫850nm
⚫ 1064 nm
⚫ 1310 nm
⚫ 1550 nm
Ample de banda
⚫ 10GHz
⚫ 20GHz
⚫ 40GHz
⚫ 50GHz
R-AM-15-2.5G
| Paràmetre | Símbol | Min | Tip | Màx | Unitat | ||||
| Paràmetres òptics | |||||||||
| En funcionamentlongitud d'ona | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
| Pèrdua d'inserció | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| Pèrdua de retorn òptic | ORL | -45 | dB | ||||||
| Relació d'extinció del commutador @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| Ratio d'extinció dinàmica | DER | 13 | dB | ||||||
| Fibra òptica | Entradaport | Panda PM Fujikura SM | |||||||
| sortidaport | Panda PM Fujikura SM | ||||||||
| Interfície de fibra òptica | FC/PC、FC/APC O usuari a especificar | ||||||||
| Paràmetres elèctrics | |||||||||
| En funcionamentamplada de banda（-3dB) | S21 | 2.5 | 3 | GHz | |||||
| Tensió de mitja ona Vpi | RF | @50KHz |
| 4.5 | 5 | V | |||
| Bias | @Bias |
| 6 | 7 | V | ||||
| Elèctricalpèrdua de retorn | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Impedància d'entrada | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Biaix | ZBIAIS | 1M | W | ||||||
| Interfície elèctrica | SMA(f) | ||||||||
Condicions límit
| Paràmetre | Símbol | Unitat | Min | Tip | Màx |
| Potència òptica d'entrada | Pen, Màx | dBm | 20 | ||
| Ipotència de RF d'entrada | dBm | 28 | |||
| voltatge de polarització | Vbias | V | -15 | 15 | |
| En funcionamenttemperatura | A dalt | ℃ | -10 | 60 | |
| Temperatura d'emmagatzematge | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
| Humitat | RH | % | 5 | 90 |
Corba S21
&S11 Corba
Corbes S21 i s11
Diagrama mecànic
| PORT | Símbol | Nota |
| En | Oport d'entrada ptica | Fibra PM (125 μm/250 μm) |
| Fora | Oport de sortida ptica | PM Fibra(125 μm/250 μm) |
| RF | RPort d'entrada F | SMA(f)/K(f)/V(f) |
| Biaix | Port de control de biaix | 1,2 Biaix, 3-Càtode PD, ànode 4-PD |
Rofea Optoelectronics ofereix una línia de productes comercials de moduladors electroòptics, moduladors de fase, moduladors d'intensitat, fotodetectors, fonts de llum làser, làsers DFB, amplificadors òptics, EDFA, làser SLD, modulació QPSK, làser de pols, detector de llum, fotodetector equilibrat, controlador làser , Amplificador de fibra òptica, mesurador de potència òptica, làser de banda ampla, làser ajustable, Detector òptic, controlador de díode làser, amplificador de fibra. També oferim molts moduladors particulars per a la personalització, com ara moduladors de fase de matriu 1 * 4, Vpi ultra baix i moduladors de relació d'extinció ultra alta, utilitzats principalment a universitats i instituts.
Esperem que els nostres productes siguin útils per a vostè i la seva recerca.
