Fotodetector de silici ROF de 2,5 GHz amb guany fix i amplada de banda elevada
Característica
lLongitud d'ona: 850/1064/1310/1550nm
lAmple de banda de 3 dB: 2,5 GHz
lRelació de rebuig de mode comú: > 25dB
lAlt guany
Aplicació
⚫Detecció heterodina
⚫Mesura de retard òptic
⚫Sistema de detecció de fibra òptica
⚫ (OCT)
Diagrama esquemàtic SS-OCT
Paràmetres
Paràmetres de rendiment BPR-2GHz
| model | R-BPR-2G-B-FC | R-BPR-2,5G-A1-FC | R-BPR-2,5G-A2-FC |
| rang de resposta espectral | 500~880nm | 900-1400nm | 1200-1700nm |
| Longitud d'ona típica | 850 nm | 1064 nm | 1310nm/1550nm |
| capacitat de resposta | 0,45Tardor/hiverna 850 nm | 0.7Tardor/hivern@1064nm | 0,9Tardor/hivern@1550nm |
| Ample de banda de 3 dB | 50K~2GHz | 50K~2.5GHz | 50K~2.5GHz |
| Relació de rebuig en mode comú (CMRR) | >25dB (30dB típic) | >25dB (30dB típic) | >25dB (30dB típic) |
| Guany a l'estat d'alta impedància | 6.5×103V/W | 10.1×103V/W | 14,5×103V/W |
| Tensió de soroll (RMS) | 20 mVRMS | 6mVRMS | 8mVRMS |
| Amplitud màxima de sortida a 50Ω | 5,5 Vpp | 5,5 Vpp | 5,5 Vpp |
| Danys a la potència òptica | 10 mW | ||
| Rang de temperatura de funcionament | -20~+70℃ | ||
| Voltatge de treball | DC ±12V(Equipat amb un adaptador de corrent de baix soroll） | ||
| corrent de funcionament | 350 mA | ||
| Connector d'entrada | FC | ||
| Connector de sortida | AME | ||
| impedància de sortida | 50 ohms | ||
| Mètode d'acoblament de sortida | Acoblament de CA | ||
| Dimensions externes (mm) | 78,5 mm×71 mm×25,7 mm | ||
Corba
Corba característica
Corba de resposta espectral Diagrama del circuit intern
Dimensions (mm)
Sobre nosaltres
Rofea Optoelectronics exposa una àmplia gamma de productes electroòptics, incloent moduladors, fotodetectors, fonts làser, làsers dfb, amplificadors òptics, EDFA, làsers SLD, modulació QPSK, làsers pulsats, fotodetectors, fotodetectors balancejats, làsers semiconductors, controladors làser, acobladors de fibra, làsers pulsats, amplificadors de fibra, mesuradors de potència òptica, làsers de banda ampla, làsers sintonitzables, retards òptics, moduladors electroòptics, fotodetectors, controladors de díode làser, amplificadors de fibra, amplificadors de fibra dopats amb erbi i làsers font.
També oferim moduladors personalitzats, incloent-hi moduladors de fase de matriu 1*4, moduladors de Vpi ultrabaix i moduladors de relació d'extinció ultraalta, especialment dissenyats per a universitats i instituts de recerca.
Aquests productes presenten un ample de banda electroòptic de fins a 40 GHz, un rang de longitud d'ona de 780 nm a 2000 nm, baixa pèrdua d'inserció, baixa Vp i alta PER, cosa que els fa adequats per a una varietat d'enllaços RF analògics i aplicacions de comunicació d'alta velocitat.
Rofea Optoelectronics ofereix una línia de productes de moduladors electroòptics comercials, moduladors de fase, moduladors d'intensitat, fotodetectors, fonts de llum làser, làsers DFB, amplificadors òptics, EDFA, làser SLD, modulació QPSK, làser de pols, detector de llum, fotodetector equilibrat, controlador làser, amplificador de fibra òptica, mesurador de potència òptica, làser de banda ampla, làser sintonitzable, detector òptic, controlador de díode làser, amplificador de fibra. També oferim molts moduladors particulars per a la personalització, com ara moduladors de fase de matriu 1*4, Vpi ultrabaix i moduladors de relació d'extinció ultraalta, utilitzats principalment en universitats i instituts.
Esperem que els nostres productes us siguin útils a vosaltres i a la vostra recerca.
