Rof Modulador electro-òptic 1310nm Modulador d'intensitat 2.5G

Descripció breu:

El modulador d'intensitat LiNbO3 s'utilitza àmpliament en sistemes de comunicació òptica d'alta velocitat, sistemes de detecció làser i ROF a causa del bon efecte electro-òptic.La sèrie R-AM basada en l'estructura MZ i el disseny X-cut, té característiques físiques i químiques estables, que es poden aplicar tant en experiments de laboratori com en sistemes industrials.

Envieu-nos un correu electrònic DESCARREGAR

Detall del producte

Rofea Optoelectronics ofereix productes de moduladors electro-òptics òptics i fotònics

Etiquetes de producte

Característica

Baixa pèrdua d'inserció
Ample de banda: 2,5 GHz
Baixa tensió de mitja ona
Opció de personalització

Aplicació

Sistemes ROF
Distribució de claus quàntiques
Sistemes de detecció làser
Modulació de banda lateral

Paràmetres òptics

Paràmetre		Símbol	Min	Tip	Màx	Unitat
Longitud d'ona de funcionament		l	1290	1310	1330	nm
Pèrdua d'inserció		IL		4	5	dB
Pèrdua de retorn òptic		ORL			-45	dB
Relació d'extinció del commutador @DC		ER@DC	20	23		dB
Ratio d'extinció dinàmica		DER		13		dB
Fibra òptica	Port d'entrada		Fibra PM (125/250 μm)
	port de sortida		Fibra PM o Fibra SM (125/250μm)
Interfície de fibra òptica			FC/PC、FC/APC o personalització

Paràmetres elèctrics

Paràmetre		Símbol	Min	Tip	Màx	Unitat
Ample de banda de funcionament (-3dB)		S21		2.5		GHz
Tensió de mitja ona	RF	VΠ@1KHz		3	4	V
Tensió de mitja ona	Parcialitat	VΠ@1KHz		3.5	4.5	V
Pèrdua de retorn elèctric		S11		-12	-10	dB
Impedància d'entrada	RF	ZRF	50			W
Impedància d'entrada	Parcialitat	ZBIAS	1M			W
Interfície elèctrica			SMA(f)

Límit

Paràmetre	Símbol	Unitat	Min	Tip	Màx
Potència òptica d'entrada	Pin, màx	dBm			20
Potència de RF d'entrada		dBm			28
voltatge de polarització	Vbias	V	-15		15
Temperatura de funcionament	Superior	℃	-10		60
Temperatura del magatzem	Tst	℃	-40		85
Humitat	RH	%	5		90

Demanar informació

R	AM	15	10G	XX	XX
	Tipus:	Longitud d'ona:	Ample de banda de funcionament:	Tipus de fibra d'entrada:	Connector òptic:
	AM --- Intensitat	08 --- 850 nm	2,5G---10GHz	PP---PM/PM	FA---FC/APC
	Modulador	10 --- 1060 nm	10G---10GHz	PS---PM/SMF	FP---FC/PC
		13 --- 1310 nm	20G---10GHz		XX---Personalització
		15 --- 1550 nm

Diagrama mecànic

PORT	Símbol	Nota
In	Port d'entrada òptic	Fibra PM (125 μm/250 μm)
Fora	Port de sortida òptic	Opció de fibra PM i SM
RF	Port d'entrada de RF	SMA(f)
Parcialitat	Port de control de biaix	1,2 Biaix, 34-N/C

Anterior: Rof Modulador electro-òptic 1550nm AM Series Modulador d'intensitat 40G

Pròxim: Rof Modulador electro-òptic 850nm Modulador de fase 10G

Rofea Optoelectronics ofereix una línia de productes comercials de moduladors electroòptics, moduladors de fase, moduladors d'intensitat, fotodetectors, fonts de llum làser, làsers DFB, amplificadors òptics, EDFA, làser SLD, modulació QPSK, làser de pols, detector de llum, fotodetector equilibrat, controlador làser , Amplificador de fibra òptica, mesurador de potència òptica, làser de banda ampla, làser ajustable, detector òptic, controlador de díode làser, amplificador de fibra.També oferim molts moduladors particulars per a la personalització, com ara moduladors de fase de matriu 1 * 4, Vpi ultra baix i moduladors de relació d'extinció ultra alta, utilitzats principalment a universitats i instituts.
Esperem que els nostres productes siguin útils per a vostè i la seva recerca.