Modulador de fase de modulador ROF eo 20g de pel·lícula fina de filtrat de filithium modulador
Distintiu
■ Ample de banda RF fins a 20/40 GHz
■ Tensió de mitja ona baixa a 3 V
■ Pèrdua d'inserció tan baixa com a 4.5dB
■ Mida del dispositiu petit
Paràmetre
| Categoria | Argument | Sym | Sola | Aounter | |
| Rendiment òptic (@25 ° C) | Longitud d'ona de funcionament (*) | λ | nm | ~ 1550 | |
| Pèrdua de retorn òptic
| Orl | dB | ≤ -27 | ||
| Pèrdua d’inserció òptica (*) | IL | dB | Màxim：5.5tip：4.5 | ||
| Propietats elèctriques (@25 ° C)
| Ample de banda electro-òptica de 3 dB (de 2 GHz | S21 | Ghz | X1: 2 | X1: 4 |
| Min：18Ty：20 | Min：36thp：40 | ||||
| Tensió de mitja ona RF (@50 kHz)
| Vπ | V | Màxim：3,5tip：3.0 | ||
| RF de retorn de RF (2 GHz a 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Condició de treball
| Temperatura de funcionament | TO | ° C | -20 ~ 70 | |
* Personalitzable
Llindar de danys
| Adocument | Sym | Selegit | Min | Màxim | Sola |
| Potència d'entrada de RF | Pecar | X2: 4 | - | 18 | dBm |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| Tensió de swing d’entrada de RF | VPP | X2: 4 | -2.5 | +2.5 | V |
| X2: 5 | -8,9 | +8.9 | |||
| Tensió RM RMS RF | VRMS | X2: 4 | - | 1.78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| Temperatura d'emmagatzematge | Agulla | - | - | 20 | dBm |
| Potència d'entrada òptica | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| Humitat relativa (sense condensació) | RH | - | 5 | 90 | % |
Si el dispositiu supera el llindar màxim de danys, causarà danys irreversibles al dispositiu i aquest tipus de danys del dispositiu no estan coberts pel servei de manteniment.
Mostra de prova S21 (valor típic de 40 GHz)
S21 iS11
Demaneu informació
Modulador de fase de Niobat de Lithium de pel·lícula fina de 20 GHz/40 GHz
| seleccionable | Descripció | seleccionable |
| X1 | Ample de banda electro-òptica de 3 dB | 2or4 |
| X2 | Potència màxima d’entrada de RF | 4or5 |
Sobre nosaltres
Rofea Optoelectronics ofereix una gamma de productes comercials que inclouen moduladors electro òptics, moduladors de fase, detectors de fotografies, fonts làser, làsers de DFB, amplificadors òptics, EDFAs, làsers SLD, modulació de QPSK, làsers polsats, detectors de fotografies, detectors fotogràfics equilibrats, semiconductors, làser. Conductors, acobladors de fibra, làsers polsats, amplificadors de fibra, comptadors de potència òptica, làsers de banda ampla, làsers ajustables, línies de retard òptic, moduladors electroòptics, detectors òptics, controladors de díodes làser, amplificadors de fibra, amplificadors de fibra dotats per erbium i fonts de llum làser.
El modulador de fase Linbo3 s’utilitza àmpliament en el sistema de comunicació òptica d’alta velocitat, la detecció de làser i els sistemes ROF a causa d’un efecte electro-òptic. La sèrie R-PM basada en la tecnologia TI-Difused i APE, té característiques físiques i químiques estables, que poden satisfer la majoria de les aplicacions en experiments de laboratori i sistemes industrials.
ROFEA Optoelectronics ofereix una línia de producte de moduladors electroòptics comercials, moduladors de fase, modulador d’intensitat, fotodetectors, fonts de llum làser, làser DFB, amplificadors òptics, EDFA, làser SLD, modulació QPSK, làser de pols, detector de llum, fotodeta equilibrat, controlador de làser , Amplificador de fibra òptica, mesurador de potència òptica, làser de banda ampla, làser ajustable, detector òptic, controlador de díode làser, amplificador de fibra. També proporcionem molts moduladors particulars per a la personalització, com ara moduladors de fase de matriu 1*4, VPI ultra-baix i moduladors d’extinció ultra alta, utilitzats principalment en universitats i instituts.
Espero que els nostres productes siguin útils per a vosaltres i la vostra investigació.
